Spécifications techniques
Présentation du produit
Cibles de pulvérisation en tungstène haute pureté
Ces cibles de pulvérisation en tungstène sont conçues pour le revêtement sous vide haute performance et les processus PVD, offrant une stabilité exceptionnelle dans les environnements à haute température. Caractérisées par le point de fusion le plus élevé de tous les métaux purs et le plus faible coefficient de dilatation thermique, elles assurent le dépôt de films minces homogènes. Ces cibles sont spécifiquement optimisées pour la fabrication de semi-conducteurs, de micro-électronique et d'écrans TFT-LCD, où la pureté chimique et la densité sont critiques pour la conductivité électrique.
Propriétés des matériaux
- Point de fusion
- 3422 °C
- Dilatation thermique
- Coefficient le plus bas de tous les métaux purs
- Caractéristiques physiques clés
- Haute résistance à la tractionFaible pression de vapeurHaute ductilitéHaute densité
Spécifications techniques
Pureté chimique
3N5 (99.95%)Haute pureté
Méthodes de fabrication
- Forgeage
- Étirement
- Extrusion
- Frittage
Méthodes de contrôle qualité
- GDMS (éléments métalliques)
- ICP-OES (éléments métalliques)
- LECO (éléments gazeux)
Applications
Applications principales
- Fabrication de semi-conducteurs
- Micro-électronique
- Composants d'écrans TFT-LCD
- Transistors en couches minces
Indicateurs de performance
Avantages de performance
1 650 °C
Seuil de pression de vapeur basse
99,95 %
Pureté standard
