Spécifications techniques
Présentation du produit
Cibles de pulvérisation en cuivre haute pureté
Ces cibles de pulvérisation en cuivre haute pureté sont conçues pour le dépôt de couches minces avancé dans la fabrication de semi-conducteurs, de revêtements décoratifs et d'écrans tactiles. Grâce à une technologie de fusion avancée et à une déformation contrôlée de la microstructure, ces cibles offrent une conductivité électrique et thermique supérieure tout en minimisant la formation de particules pendant le processus PVD. Disponibles en configurations planes et rotatives pour répondre aux diverses exigences industrielles.
Spécifications techniques
Formes disponibles
- Cible plane (jusqu'à la génération G8.5)
- Cible rotative
- Niveaux de pureté
- 99.9%99.99% (4N)99.999% (5N)99.9999% (6N)
- Teneur en oxygène
- < 1 ppm
Caractéristiques de performance
Indicateurs de performance clés
29
Numéro atomique
1 ppm
Teneur maximale en oxygène
Méthodes analytiques
| Composant | Méthode |
|---|---|
| Éléments métalliques | GDMS et ICP-OES |
| Éléments gazeux | LECO |
