Spécifications techniques
Vue d'ensemble
Analyse de précision pour transistors MOS
L'analyseur de paramètres pour transistors MOS est un instrument de précision conçu pour le test et la sélection rigoureux de transistors MOS dans les environnements de recherche, de développement et de contrôle qualité. Il permet un réglage continu du courant de test pour simuler diverses conditions de fonctionnement et offre une surveillance en temps réel des paramètres critiques. Grâce à ses capacités de test avancées pour l'évaluation de la RDS à courant élevé, cet appareil garantit la fiabilité des composants et une adéquation optimale des performances.
Capacités de mesure
Plages de test des paramètres
| Paramètre | Plage |
|---|---|
| Tension de seuil (UGS(th)) | 0.1 - 9.9 V |
| Résistance interne (RDS) | 0.001 - 9.999 Ω |
| Transconductance (gm) | 0.10 - 10.00 S |
| Tension de tenue (V(BR)DS) | 50 - 650 V |
- Paramètres mesurés
- Tension de seuil (UGS(th))Résistance interne (RDS)Transconductance (gm)Tension de tenue (V(BR)DS)
Caractéristiques opérationnelles
Plage du courant de test
0,1 A
Courant minimal
5 A
Courant maximal
Caractéristiques opérationnelles clés
- Courant de test réglable en continu pour simuler différentes situations de travail
- Définition libre des limites de jugement et des valeurs de regroupement
- Système d'alarme automatique lorsque les valeurs mesurées dépassent les limites
- Technologie avancée de test RDS à courant élevé
